求助 | 註冊 | 登入
實驗室簡介
by hilbert, 2008-07-03 23:45:23, 人氣(2888)

研究方向
在幾年有計畫的規劃下,實驗室研究能量已漸趨完備,為一活力充沛、發展潛力雄厚的實驗室。由實驗室團隊的努力與奮鬥微機電系統晶片相關的研究。目前主要研究方向在於探討CMOS MEMS元件,探討其光、電特性。目前已有相當的基礎及成果。

 

 

  奈米生化感測CMOS MEMS系統晶片研究: --  元件組(機電所同學) 

本年度研究計畫重點提出一新穎的堆疊式電極氣體感測器,有別於傳統之指叉狀電極,能更大幅有效地降低高電阻率之感測材料。同時利用台積電TSMC 0.35μm 2P4M標準CMOS製程製作的新穎式氣體感測晶片。藉由改變感測元件的操作條件來分析,大致可分為工作溫度及環境照度這兩部分,當感測元件操作於工作溫度350℃時,其靈敏度高達0.157%/ppm,表示感測元件操作的工作溫度越高,其對一氧化碳氣體感測的能力越好。在照光實驗結果發現,當環境照度從250lx提高至1000lx時,其對氣體偵測的靈敏度會由0.085%/ppm提升三倍至0.25%/ppm。 

研究項目應用範圍

氣體感測環境、半導體廠房、工業作業環境

主要創新技術

一、光增強靈敏度之新穎堆疊式電極氣體感測元件

二、磁性溶膠凝膠之奈米微結構感測層

  三、微機電技術設計磁性催化半導體式


        微機電系統晶片發展平台

製作流程:設計佈局→CIC 下線製作(TSMC IC 製程)→後製程處理(奈米科技中心)


               設計與製作環境

                      1. 利用工作站(sun)設計佈局

                           工作站軟體說明            

                             (1) MEMS 設計   A. Laker 劃圖佈局       B. Calibre 佈局除錯

                             (2) 類比 IC 設計  A. HSPICE 電路模擬   B. Cadence 劃圖佈局

                             (3) 數位 IC 設計  A. Verilog 程式撰寫     B. Astro 轉數位佈局圖

                       2. CIC 下線製作:製程為 TSMC 標準 CMOS 製程→2P4M 0.35μm 0.18μm 0.13μm

                       3. 後製程處理:奈米科技中心→後製程

                             (1). 乾式蝕刻→ICP   (2). 顯式蝕刻→TMAH、KOH、EDP

               實作 




機電工程學系微光電應用實驗室 沈志雄教授 

附件