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編號標題人氣討論作者日期
375576580ielinyc2015-06-17 10:41:23
39152150ielinyc2017-06-21 22:33:52
39151200ielinyc2017-06-20 22:34:18
實驗室介紹
by ielinyc, 2015-06-13 17:06:10, 人氣(1086)

 

林義成 特聘教授
 
電話 : 04-7232105 #8135 (辦公室)

#8118 (學生讀書室) or #8124 (實驗室)

Email  : ielinyc@cc.ncue.edu.tw

辦公室 : 寶山校區 工學大樓 E335

專長: 薄膜工程/太陽電  
學歷:國立交通大學機械工程博士
                                                           詳細資料

研究領域

l   薄膜工程

 

實驗室設備(含操作手冊)

 

 

濺鍍機(I) 操作流程

濺鍍機(II) 操作流程

 

 

真空熱處理爐(I) 操作流程

真空熱處理爐(II)

 

 

掃描式電子顯微鏡 操作手冊

太陽光模擬器

 

 

光譜儀 操作手冊

Hall量測儀 操作手冊

討論(0), 附件(17)
研究計畫
by ielinyc, 2016-06-24 10:24:55, 人氣(496)

近五年研究/產學計畫

 

主持人

研究計畫名稱

年度

委託/合作機構

經費

林義成

CZTS薄膜太陽電池表面漏電流機制及元件效率提升研究

105

科技部

2,540,000

林義成

包含皮膚生電之双面太陽電池應用於穿載式裝置開發(I)

105

科技部

1,050,000

林義成

I-III-VI2I2-II-IV-VI4 薄膜太陽電池表面漏電流及缺陷機制研究

104

科技部

1,096,000

林義成

低溫奈米銀在軟性CIGS薄膜太陽電池應用研究

103

科技部

953,000

林義成

應用於穿載式裝置之生物熱能電池研發

103

研能科技

120,000

林義成

前膽CZTSSe薄膜太陽電池製程與分析

102

科技部

943,000

林義成

Mo/Na合金靶材對於背電極及吸收層影響研究

102

中科院

500,000

林義成

提升CIGS薄膜太陽電池效率之基礎及關鍵技術研究

101

科技部

903,000

林義成

低應力高導電性背電極層薄膜新製程開發

101

中科院

500,000

林義成

可撓不銹鋼基板於CIGS薄膜太陽電池應用與製程技術開發-總計畫(II)

101

科技部

699,000

林義成

子計畫三:可撓不銹鋼基板濺鍍 CIGS 薄膜太陽電池技術(II)

101

科技部

806,000

林義成

可撓不銹鋼基板於CIGS薄膜太陽電池應用與製程技術開發-總計畫(I)

100

科技部

832,000

林義成

子計畫三:可撓不銹鋼基板濺鍍 CIGS 薄膜太陽電池技術(I)

100

科技部

767,000

林義成

CIGS電池各層薄膜成型製程研究

100

精機中心

500,000

林義成

可撓式金屬基板鍍膜應力測試及四元靶RTP製程開發

100

中科院

500,000

林義成

CIGS薄膜太陽電池製程與元件結構開發

100

勝華科技

200,000

討論(0), 附件(0)
研究主題
by ielinyc, 2015-06-22 16:35:48, 人氣(753)

透明導電膜材料與製程  詳細資料.pdf

 

透明導電膜材料

薄膜材料在可見光範圍內(波長380-780 nm)具有80%以上的透光率,電阻值低於1×10-3Ωcm,則可稱為透明導電薄膜[16]。隨著時代的進步,各種電子產品不斷推陳出新,因應製程上的需要,許多半導體材料不斷被開發與應用,尤其在光電產業中,透明導電膜由於兼具透明與導電兩種特性,近年來的應用領域及需求量不斷地擴大。

      製備透明導電膜的材料大致上可歸納為兩類[16,17],一類是薄金屬膜,另一類是金屬氧化物膜,茲分述如下..
 
 
 
 

CIGS 太陽電池材料結構與特性  詳文下載.pdf

 
CIGS 元件構造
CIGS 薄膜太陽電池具有層狀結構,其典型結構為:蘇打玻璃(Soda-lime glass, SLG)/Mo 薄膜電極/p 型吸收層 CIGS 薄膜/n 型緩衝層 CdS 薄膜/雙層結構的ZnO 薄膜窗口層(i-ZnO/n-ZnO)/抗反射層 MgF2/Ni-Al 電極薄膜[1],如圖所示。

 

CZTS/CZTSe吸收層特性 詳文下載.pdf

 
太陽電池吸收層的主要功能是吸收外部光子使激發出光電子後,使電子-電洞對分離,而CZTS/CZTSe本身具備有良好的光吸收係數α >104 cm-1且能隙寬約1.5eV又屬直接能隙半導體,可用1~2μm厚的材料即達到吸收太陽光的效果[19]
如前所述,CZTS/CZTSe源自的CIGS結構,其有等電子體,意指具有相同價電子數並且具有相同結構。鋅原子和錫原子分別取代銦原子或鎵原子。因此CZTS有一些類似的CIGS的性能。這方面的一個主要優點是標準的太陽能電池結構。當然在不知道CZTS/CZTSe這個材料是否能CdSZnO組合後能否產生好的結果,但CZTS開始的情況下並沒有花太多時間在尋找元件裝置之結構。相反集中在CZTS吸收層上面的研究。
                                                       圖片來源: http://energy.gov/eere/sunshot/earth-abundant-materials
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