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研究領域
by sdmclab, 2008-05-30 16:31:02, 人氣(3124)

研究領域

 

光譜技術

 

光子調制光譜 (photoreflectancePR)

非接觸式電場調制光譜 (contactless electroreflectanceCER)

壓電調制光譜 (piezoreflectancePzR)

光激發螢光光譜 (photoluminescencePL)

反射光譜 (reflectance)

穿透光譜 (Transmittance)

光導 (photoconductivity)

持續性光導 (persistent photoconductivity)

 

所探討的領域包括:

*      各種新穎半導體材料之光學特性。

*      半導體量子結構 (例如方形量子井、三角形量子井、耦合量子井、超晶格結構、量子點等) 之量化能階。

*      半導體元件 (例如高電子移動率電晶體、光感測器、發光二極體、雷射二極體、太陽能電池等) 之非破壞性光學量測可研究的光譜波段涵蓋了近紅外、可見光、及近紫外光波段,可進行實驗的溫度範圍從10300 K

 

 

二、元件特性量測

 

*      使用電流-電壓 (I-V) 量測及電容-電壓 (C-V) 量測來探討半導體元件之電特性及半導體材料之介電特性。

*      分別使用固定磁鐵或電磁鐵構成的ACDC霍爾量測(Hall measurement)可量測材料上的電阻率 (Resistivity)、載子濃度 (Carrier Concentration) 與載子移動率 (Carrier Mobility) 的特性,以上可進行實驗的溫度範圍從10300 K

 

 

三、半導體元件結構設計與特性模擬

 

使用APSYS (Advanced Physical Models of Semconductor Devices)軟體來設計各種半導體元件結構,例如異質接面電晶體 (HBT)高電子移動率電晶體(HEMT)、太陽能電池(solar cell)等,並模擬其異質能帶結構、電流對電壓的特性及高頻的元件特性參數等,以做為元件磊晶成長的參考